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自拼装法制取超薄偏光片及其凹槽
2018-12-27 17:28:36
自
拼装
法制
取
超薄偏光片及其
凹槽
此发明专利技术提供一种自拼装法制备超薄偏光片的
凹槽
、超薄偏光片及显示面板,该
凹槽
包括以下步骤:
1、通过仿真软件模拟得到可实现偏光功能的纳米粒子阵列的特征信息,所述特征信息包括纳米粒子的形状信息、尺寸信息、粒子排布信息以及阵列周期;
2、根据所述特征信息计算出
凹槽
阵列的结构参数,并根据该结构参数在基板上形成具有特定形状的
凹槽
阵列;
3、将纳米粒子的胶体滴加到设置有该
凹槽
阵列的基板上,形成图案化的纳米粒子阵列;
4、该粘性胶与
凹槽
内的纳米粒子接触并相互结合,随后将粘性胶固化形成粘性胶薄膜;/5、将粘附有纳米粒子阵列的粘性胶薄膜与带
凹槽
阵列的基板分离,在粘附有纳米粒子阵列的粘性胶薄膜的另一侧贴附粘性胶层,进而形成密闭的纳米粒子阵列。
一、技术实现思路
此专利技术的目的是提供1种
自拼装发制取超薄偏光片及其凹槽
,具有控制成本的有益功效。此专利技术实行例提供1种自拼装法制取超薄偏光片的
凹槽
,包含下列步骤:按照仿真软件模拟取得可实现偏光功能的纳米粒子阵列的表现形式信息,上述表现形式信息包含纳米粒子的形状信息、尺寸信息、粒子排布信息及其阵列周期;根据上述表现形式信息计算出
凹槽
阵列的结构特征主要参数,并根据该结构特征主要参数在基板上形成具有特定形状的
凹槽
阵列;将纳米粒子的胶体滴加到覆有该
凹槽
阵列的基板上,使得该纳米粒子均匀地自拼装到
凹槽
阵列的各个
凹槽
里,形成图案化的纳米粒子阵列;在自拼装有纳米粒子阵列的
凹槽
基底上涂布粘性胶,该粘性胶与
凹槽
内的纳米粒子接触并相互结合,随后将粘性胶固化形成粘性胶薄膜;将粘附有纳米粒子阵列的粘性胶薄膜与带
凹槽
阵列的基板分离出来,在粘附有纳米粒子阵列的粘性胶薄膜的另一侧贴附粘性胶层,继而形成密闭的纳米粒子阵列。在此专利技术上述的自拼装法制取超薄偏光片的
凹槽
中,上述纳米粒子的形状为立方体、圆柱体、线、三角板或球形。在此专利技术上述的自拼装法制取超薄偏光片的
凹槽
中上述
凹槽
为矩形、圆形或三角形。在此专利技术上述的自拼装法制取超薄偏光片的
凹槽
中,在上述根据该结构特征主要参数在基板上形成具有特定形状的
凹槽
阵列的步骤中,按照光刻或物理刻蚀形成该
凹槽
阵列。在此专利技术上述的自拼装法制取超薄偏光片的
凹槽
中,上述纳米粒子阵列的排布形状为十字形、圆形或者矩形。1种超薄
偏光片
,包含:粘性胶薄膜;纳米粒子阵列,上述纳米粒子阵列覆在上述粘性胶薄膜表层上;粘性胶层,上述粘性胶层覆在上述粘性胶薄膜表层上,并覆盖上述纳米粒子阵列。在此专利技术上述的超薄偏光片中,上述纳米粒子的形状为立方体、圆柱体、线、三角板或球形。在此专利技术上述的超薄偏光片中,上述纳米粒子阵列的排布形状为十字形、圆形或者矩形。1种显示面板包含:显示基板及其覆在上述显示基板上的偏光片;其中,上述偏光片包含:粘性胶薄膜;纳米粒子阵列,上述纳米粒子阵列覆在上述粘性胶薄膜表层上;粘性胶层,上述粘性胶层覆在上述粘性胶薄膜表层上,并覆盖上述纳米粒子阵列。由上可知,此专利技术按照仿真软件模拟取得可实现偏光功能的纳米粒子阵列的表现形式信息,上述表现形式信息包含纳米粒子的形状信息、尺寸信息、粒子排布信息及其阵列周期;根据上述表现形式信息计算出
凹槽
阵列的结构特征主要参数,并根据该结构特征主要参数在基板上形成具有特定形状的
凹槽
阵列;将纳米粒子的胶体滴加到覆有该
凹槽
阵列的基板上,使得该纳米粒子均匀地自拼装到
凹槽
阵列的各个
凹槽
里,形成图案化的纳米粒子阵列;在自拼装有纳米粒子阵列的
凹槽
基底上涂布粘性胶,该粘性胶与
凹槽
内的纳米粒子接触并相互结合,随后将粘性胶固化形成粘性胶薄膜;将粘附有纳米粒子阵列的粘性胶薄膜与带
凹槽
阵列的基板分离出来,在粘附有纳米粒子阵列的粘性胶薄膜的另一侧贴附粘性胶层,继而形成密闭的纳米粒子阵列;具有控制成本,提高光学特性的有益功效。附图说明图1为此专利技术实行例中的自拼装法制取超薄偏光片的
凹槽
的流程构示意图。图2为此专利技术实行例中的超薄偏光片的结构特征图。图3为此专利技术实行例中的显示面板的结构特征图。具体实行方式下面详细描述此专利技术的实行方式,上述实行方式的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面按照参考附图描述的实行方式是示例性的,仅用于解释此专利技术,而不能理解为对此专利技术的限制。在此专利技术的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述此专利技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对此专利技术的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术表现形式的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的表现形式可以明示或者隐含地包含一个或者更多个上述表现形式。在此专利技术的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。在此专利技术的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以按照中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在此专利技术中的具体含义。在此专利技术中,除非另有明确的规定和限定,第一表现形式在第二表现形式之“上”或之“下”可以包含第一和第二表现形式直接接触,也可以包含第一和第二表现形式不是直接接触而是按照它们之间的另外的表现形式接触。而且,第一表现形式在第二表现形式“之上”、“上方”和“上面”包含第一表现形式在第二表现形式正上方和斜上方,或仅仅表示第一表现形式水平高度高于第二表现形式。第一表现形式在第二表现形式“之下”、“下方”和“下面”包含第一表现形式在第二表现形式正下方和斜下方,或仅仅表示第一表现形式水平高度小于第二表现形式。下文的公开提供了许多不同的实行方式或例子用来实现此专利技术的不同结构特征。为了简化此专利技术的公开,下文中对特定例子的部件和覆进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制此专利技术。此外,此专利技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实行方式和/或覆之间的关系。此外,此专利技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
二、技术介绍
随着科技发展及其我们对产品要求的提升,显示装置已不限于平面显示,曲面显示是追求更高档次的可弯曲的全柔结构类型技术应用。而全柔结构类型技术标准显示屏幕每个构件的厚度要切实的减低,至少涉及显示屏幕中的关键构件(偏光片)。现阶段OLED电子器件中常见的偏光片主要为拉伸的PVA薄膜,厚度在几十微米量级,限制了OLED电子器件用作动态的柔性显示。为实现OLED电子器件的动态柔性显示,需要电子器件中导入厚度更薄的偏光片。超表层为亚波长电磁结构单元在空间上周期排列得到的一类微结构光子材料。由于结构单元独特的光学响应和相互耦合,超表层可对电磁波的振幅、相位和偏振等进行调控。考虑到结构单元材料或形状的各向异性,超表层在不同方向上具备不一的相位延迟,即超表面具备双折射效应。入射光经由超表层时可分解为2个正交的分量,利用操控2个光分量经由超表层后的相位延迟可实现对光的偏振模式的控制。近几年来,超表层因其超薄的结构特征和高工作效能等优势在光偏振幅度调制领域备受广泛性地特别关注。但现行的具备偏振幅度调制功能性的超表层主要是物理刻蚀技术手段制得的,这种生产加工方式有着生产加工周期长、生产加工规模小、不适合复杂性结构单元的配制、生产加工价格昂贵等难题,从而掣肘了超表层在具体的偏光片领域的运用。于是,原有技术存有疵点,需要不断改进。
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自拼装法
超薄偏光片
超薄偏光片的凹槽
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